توصیف توپولوژیکی گذار نیم‌فلزی بلور MnAs

نویسندگان

  • اکبرزاده, هادی دانشگاه صنعتی اصفهان
  • هاشمی‌فر, سیدجواد دانشگاه صنعتی اصفهان
چکیده مقاله:

Topological analysis of the electronic charge density is introduced as a new tool for studying the electronic properties of the materials. In this method, the eigen values of the Hessian matrix of the electronic charge density as an scalar field are used to estimate the strength of the atomic bonds. We employ this method to study the half-metallic phase transition of MnAs in zinc blende structure. The results show that the topology of the electron density is preserved in this phase transition. So the total magnetization as the order parameter of the system changes continually and the phase transition is regarded as a second order transition. The geometrical changes observed in the electron density are interpreted by investigating the electronic structure.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

توصیف توپولوژیکی گذار نیم فلزی بلور mnas

تحلیل توپولوژی چگالی بار الکترونی به عنوان ابزار جدیدی برای مطالعه خواص الکترونی مواد معرفی می گردد. در این روش ویژه مقادیر ماتریس هسین چگالی بار الکترونی به عنوان یک میدان اسکالر سه بعدی برای ارزیابی قدرت پیوند اتم ها مورد استفاده قرار می گیرد. در این مقاله از این روش برای مطالعه گذار فلز – نیم فلز در بلور mnas در فاز بلند روی استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که توپولوژی چگالی بار در این گذا...

متن کامل

محاسبه خواص فونونی، مکانیکی و گرمایی بلور و نانوسیم mnas

در این پروژه، خواص ساختاری و الکترونی بلور ?-mnas را مورد بررسی قرار دادیم. ?-mnas دارای فاز ساختاری هگزاگونال از نوع nias با نظم اسپینی فرومغناطیس است. بلور ?-mnas یک سیستم فلزی است از این رو در نمودار چگالی حالات الکترونی و همچنین ساختار نواری آن، گاف انرژی مشاهده نشد. در نمودار چگالی حالات کل بلور mnas ، به طور تقریبی شکافتگی اسپینی حدود 4ev وجود داشت و در نمودار چگالی حالت های جزیی این سیست...

15 صفحه اول

MnAs Nanocrystals Embedded in GaAs

In the last years a lot of effort has been devoted to a search for hybrid ferromagnet–semiconductor structures in aim of novel information storage and spin electronics applications. Nanocomposites with ferromagnetic above room temperature MnAs nanoclusters, embedded in GaAs matrix (MnAs/GaAs), are promising candidates for this type of material (e.g. [1–3]). Recently, it has been reported that t...

متن کامل

Two-Carrier Transport in Epitaxially Grown MnAs

Magneto-transport measurements of ferromagnetic MnAs epilayers grown by molecular beam epitaxy reveal the presence of both positive and negative charge carriers. Electrical transport at high temperatures is dominated by holes, and at low temperatures by electrons. We also observe distinct changes in the magnetoresistance associated with the transition between the electronand hole-dominated tran...

متن کامل

ارائه چارچوب توصیف گذار حوزه‌های فنّاورانه بر اساس رویکرد تحلیل چندسطحی: (مطالعه موردی: گذار انرژی‌های بادی و خورشیدی در ایران)

با افزایش نیاز جوامع امروزی به‌ویژه جوامع درحال‌توسعه نظیر ایران به حامل‌های انرژی و با توجه به پایان‌پذیری سوخت‌های فسیلی و همچنین تأثیرات زیست‌محیطی این نوع سوخت‌ها، ضرورت کشف و استفاده از منابع انرژی جدید بیش‌ازپیش اهمیت یافته است. انرژی‌های نو و تجدیدپذیر به‌عنوان منابع انرژی تمام‌نشدنی، رایگان، دوستدار محیط‌زیست و قابل‌دسترس در اغلب نقاط، می‌توانند مکمل مناسبی برای سوخت‌های فسیلی باشند. در...

متن کامل

Material terms: MnAs, GaAs, As Tu0920 Electronic signature of MnAs phases in bare and buried films grown on GaAs(001)

Electronic signature of MnAs phases in bare and buried films grown on GaAs(001) M. Moreno Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (CSIC), Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain A. Kumar, M. Tallarida, Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellshaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin, Germany A. Ney, K. H. Ploog Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany K...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


عنوان ژورنال

دوره 11  شماره 2

صفحات  219- 226

تاریخ انتشار 2011-09

با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.

کلمات کلیدی

کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023